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产品名称

英特尔半导体(大连)有限公司非易失性存储器项目一期扩建工程

概要信息:
该项目建筑面积为159,958平方米,本次投资项目将使大连工厂成为英特尔使用300毫米晶圆的技术,生产非易失性存储器产品的集成电路制造中心。
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项目名称:英特尔半导体(大连)有限公司非易失性存储器项目一期扩建工程

 

项目简介:

 

该项目建筑面积为159,958平方米,本次投资项目将使大连工厂成为英特尔全球第一个使用300毫米晶圆的最先进技术,生产最新的非易失性存储器产品的集成电路制造中心。

容量: LSVG 28800A

所在区域:辽宁

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